• Transistor IGBT SGH40N60UFD G40N60UFD – 40A 600V, boîtier TO-3P
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Transistor IGBT SGH40N60UFD G40N60UFD – 40A 600V, boîtier TO-3P

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Informations produit

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Transistor IGBT de puissance SGH40N60UFD, également référencé G40N60UFD, proposé en boîtier TO-3P pour les circuits de commutation et de conversion de puissance.

Caractéristiques techniques

  • Références : SGH40N60UFD et G40N60UFD
  • Type : transistor IGBT canal N
  • Tension collecteur-émetteur indiquée : 600 V
  • Courant collecteur indiqué : 40 A
  • Boîtier : TO-3P

Applications

Alimentations à découpage, onduleurs, convertisseurs de puissance et réparation de cartes électroniques utilisant cette référence.

À vérifier avant commande

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