Informations produit
Tout savoir sur ce produit
Transistor MOSFET de puissance haute performance conçu pour la commutation rapide et les fortes intensités. Idéal pour les circuits de puissance, alimentations à découpage et commandes moteur.
Caractéristiques techniques
- Tension drain-source (VDS) : 60 V
- Courant maximal (ID) : 200 A
- Résistance RDS(on) : 2.4 mΩ
- Technologie : MOSFET canal N
- Boîtier : TO-247
- Montage : traversant (THT)
- Équivalents : IRFP3006, IRFP3206, IRFP3306
Applications
- Alimentations à découpage et convertisseurs DC-DC
- Onduleurs, variateurs, contrôleurs moteur
- Amplificateurs audio et projets haute puissance
Produit neuf, testé et prêt à l’emploi. Convient pour remplacement ou conception de circuits de puissance nécessitant un MOSFET robuste et à faibles pertes.
À vérifier avant commande
Comparez la référence complète, le marquage, le boîtier ou le connecteur avec la pièce d’origine avant commande.

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