Transistor IGBT SGH40N60UFD G40N60UFD – 40A 600V, encapsulado TO-3P
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Tout savoir sur ce produit
Transistor IGBT de potencia SGH40N60UFD, también referenciado como G40N60UFD, disponible en encapsulado TO-3P para circuitos de conmutación y conversión de potencia.
Características técnicas
- Referencias: SGH40N60UFD y G40N60UFD
- Tipo: transistor IGBT de canal N
- Tensión colector-emisor indicada: 600 V
- Corriente de colector indicada: 40 A
- Encapsulado: TO-3P
Aplicaciones
Fuentes conmutadas, inversores, convertidores de potencia y reparación de tarjetas electrónicas que utilicen esta referencia.
A comprobar antes de realizar el pedido
Compare la referencia completa, el encapsulado, el pinout y las características indicadas en su componente original.
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