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Transistor MOSFET IRF3205 IRF3205PBF – canal N, 110A 55V, encapsulado TO-220

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Transistor MOSFET de potencia IRF3205 (IRF3205PBF) de canal N en encapsulado TO-220AB. Este componente de muy baja resistencia Rds(on) (8mΩ) se utiliza en convertidores de potencia, fuentes conmutadas y control de motores.

Características técnicas

  • Referencia: IRF3205 / IRF3205PBF
  • Tipo: MOSFET de canal N, modo enriquecimiento
  • Tensión drenador-fuente (Vds): 55V
  • Corriente de drenaje: 110A
  • Resistencia Rds(on): 8mΩ
  • Potencia disipada: 200W
  • Encapsulado: TO-220AB

Aplicaciones

Convertidores DC/DC de baja tensión y alta intensidad – Control de motores – Fuentes conmutadas y reparación de electrónica de potencia.

¿Por qué elegir este componente?

  • Componente nuevo
  • Muy baja Rds(on) = bajas pérdidas por conducción
  • Vendedor francés – envío rápido

Antes de realizar el pedido

Compruebe la referencia y el marcado de su componente original antes de realizar el pedido. Un valor o una apariencia similar no siempre es suficiente para identificar la pieza correcta.