Transistor MOSFET IRF1404 IRF1404PBF – canal N, 202A 40V, encapsulado TO-220
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Transistor MOSFET de potencia IRF1404 (IRF1404PBF) de canal N en encapsulado TO-220AB. Este componente de muy baja tensión Vds y muy alta corriente está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta intensidad y baja tensión.
Características técnicas
- Referencia: IRF1404 / IRF1404PBF
- Tipo: MOSFET de canal N, de enriquecimiento
- Tensión drenador-fuente (Vds): 40V
- Corriente de drenador: 202A
- Resistencia Rds(on): 4mΩ
- Potencia disipada: 333W
- Encapsulado: TO-220AB
Aplicaciones
Convertidores DC/DC de baja tensión y alta intensidad – Control de motores – Fuentes conmutadas y aplicaciones de alta potencia.
¿Por qué elegir este componente?
- Componente nuevo
- Muy alta corriente (202A) a baja tensión
- Vendedor francés – envío rápido
Antes de realizar el pedido
Compruebe la referencia y el marcado de su componente original antes de realizar el pedido. Un valor o aspecto similar no siempre es suficiente para identificar la pieza correcta.
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