Transistor MOSFET IRFP064N IRFP064NPBF – canal N, 110A 55V, encapsulado TO-3P
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Transistor MOSFET de potencia IRFP064N (IRFP064NPBF) de canal N en encapsulado TO-3P. Este componente de baja tensión drenador-fuente y alta corriente se utiliza en convertidores de potencia y fuentes conmutadas.
Características técnicas
- Referencia: IRFP064N / IRFP064NPBF
- Tipo: MOSFET de canal N
- Tensión drenador-fuente (Vds): 55V
- Corriente de drenaje: 110A
- Encapsulado: TO-3P
Aplicaciones
Convertidores DC/DC de baja tensión y alta intensidad – Fuentes conmutadas – Control de motores y reparación electrónica.
¿Por qué elegir este componente?
- Componente nuevo
- Alta corriente (110A) para aplicaciones de alta potencia
- Vendedor francés – envío rápido
Antes de realizar el pedido
Compruebe la referencia y el marcado de su componente original antes de realizar el pedido. Un valor o aspecto similar no siempre es suficiente para identificar la pieza correcta.
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