Informations produit
Tout savoir sur ce produit
Transistor MOSFET de potencia de alto rendimiento diseñado para la conmutación rápida y las altas intensidades. Ideal para circuitos de potencia, fuentes conmutadas y control de motores.
Características técnicas
- Tensión drenador-fuente (VDS) : 60 V
- Corriente máxima (ID) : 200 A
- Resistencia RDS(on) : 2,4 mΩ
- Tecnología : MOSFET de canal N
- Encapsulado : TO-247
- Montaje : atravesado (THT)
- Equivalentes : IRFP3006, IRFP3206, IRFP3306
Aplicaciones
- Fuentes conmutadas y convertidores CC-CC
- Inversores, variadores, controladores de motores
- Amplificadores de audio y proyectos de alta potencia
Producto nuevo, probado y listo para usar. Apto para la sustitución o el diseño de circuitos de potencia que requieran un MOSFET robusto y de bajas pérdidas.
A verificar antes de realizar el pedido
Compare la referencia completa, el marcado, el encapsulado o el conector con la pieza original antes de realizar el pedido.

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