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Transistor MOSFET IRFP3006 – alta potencia, encapsulado TO-247

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Transistor MOSFET de potencia de alto rendimiento diseñado para la conmutación rápida y las altas intensidades. Ideal para circuitos de potencia, fuentes conmutadas y control de motores.

Características técnicas

  • Tensión drenador-fuente (VDS) : 60 V
  • Corriente máxima (ID) : 200 A
  • Resistencia RDS(on) : 2,4 mΩ
  • Tecnología : MOSFET de canal N
  • Encapsulado : TO-247
  • Montaje : atravesado (THT)
  • Equivalentes : IRFP3006, IRFP3206, IRFP3306

Aplicaciones

  • Fuentes conmutadas y convertidores CC-CC
  • Inversores, variadores, controladores de motores
  • Amplificadores de audio y proyectos de alta potencia

Producto nuevo, probado y listo para usar. Apto para la sustitución o el diseño de circuitos de potencia que requieran un MOSFET robusto y de bajas pérdidas.

A verificar antes de realizar el pedido

Compare la referencia completa, el marcado, el encapsulado o el conector con la pieza original antes de realizar el pedido.