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IRFP3006 LEISTUNGSTRANSISTOR

IRFP3006 LEISTUNGSTRANSISTOR

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Hochleistungs-MOSFET-Transistor, ausgelegt für schnelles Schalten und hohe Ströme. Ideal für Leistungsschaltungen, Schaltnetzteile und Motorsteuerungen.

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung (VDS): 60 V
  • Maximalstrom (ID): 200 A
  • Widerstand RDS(on): 2.4 mΩ
  • Technologie: N-Kanal-MOSFET
  • Gehäuse: TO-247
  • Montage: Durchsteckmontage (THT)
  • Äquivalente: IRFP3006, IRFP3206, IRFP3306

Anwendungen

  • Schaltnetzteile und DC-DC-Wandler
  • Wechselrichter, Frequenzumrichter, Motorsteuerungen
  • Audioverstärker und Hochleistungsprojekte

Neues Produkt, getestet und einsatzbereit. Geeignet für den Austausch oder die Entwicklung von Leistungsschaltungen, die einen robusten und verlustarmen MOSFET erfordern.

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