IRFP3006 TRANSISTOR DE PUISSANCE

Transistor MOSFET de puissance haute performance conçu pour la commutation rapide et les fortes intensités. Idéal pour les circuits de puissance, alimentations à découpage et commandes moteur.

Caractéristiques techniques

• Tension drain-source (V_DS) : 60 V
• Courant maximal (I_D) : 200 A
• Résistance R_DS(on) : 2.4 mΩ
• Technologie : MOSFET canal N
• Boîtier : TO-247
• Montage : traversant (THT)
• Équivalents : IRFP3006, IRFP3206, IRFP3306

Applications

• Alimentations à découpage et convertisseurs DC-DC
• Onduleurs, variateurs, contrôleurs moteur
• Amplificateurs audio et projets haute puissance

Produit neuf, testé et prêt à l’emploi. Convient pour remplacement ou conception de circuits de puissance nécessitant un MOSFET robuste et à faibles pertes.